【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术大体上涉及硅前体材料、含硅膜和相关方法。
技术介绍
1、正硅酸四乙酯(teos)在低温气相沉积工艺中用作前体以形成二氧化硅的薄膜(例如，sio2)。在低于200℃的温度下进行低温气相沉积工艺。teos不为用于通过高温气相沉积工艺形成含硅薄膜的合适前体。
技术实现思路
1、一些实施例涉及用于化学气相沉积的前体。在一些实施例中，化学气相沉积的前体可包含硅前体材料、由硅前体材料组成或基本上由硅前体材料组成。在一些实施例中，硅前体材料可包含下式的化合物、由下式的化合物组成或基本上由下式的化合物组成：(a1a2a3)si-o-si(b1b2b3)，其中a1、a2、a3、b1、b2和b3中的每一者独立地为氢、卤基、烷基、环烷基、烷氧基、氨基、烷基氨基、氨基烷基、乙炔基、苯基、烯丙基、乙烯基或乙酰氧基。在一些实施例中，硅前体材料可在足以产生含硅膜作为反应产物的化学气相沉积条件下与至少一种共反应物前体材料具有反应性。
2、一些实施例涉及一种在衬底上沉积硅前体的方法。在一些实施例中，方...
【技术保护点】
1.一种在衬底上沉积硅前体的方法，其包含：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述硅前体材料包含下式化合物：
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述卤基为Cl、Br、F或I。
4.根据权利要求2所述的方法，其中所述烷基为直链或具支链C1至C4烷基。
5.根据权利要求2所述的方法，其中所述烷基为甲基、乙基、丙基、正丁基、异丙基、叔丁基或仲丁基。
6.根据权利要求2所述的方法，其中所述烷基氨基具有下式：
7.根据权利要求2所述的方法，其中所述烷基氨基为烷基胺、二烷基胺或三烷基胺。
8.根据...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种在衬底上沉积硅前体的方法，其包含：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述硅前体材料包含下式化合物：
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述卤基为cl、br、f或i。
4.根据权利要求2所述的方法，其中所述烷基为直链或具支链c1至c4烷基。
5.根据权利要求2所述的方法，其中所述烷基为甲基、乙基、丙基、正丁基、异丙基、叔丁基或仲丁基。
6.根据权利要求2所述的方法，其中所述烷基氨基具有下式：
7.根据权利要求2所述的方法，其中所述烷基氨基为烷基胺、二烷基胺或三烷基胺。
8.根据权利要求2所述的方法，其中所述烷基氨基为—nh(ch2ch3)2或—nhch(ch3)2。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述硅前体材料包含双(二乙氨基)-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷(bdea-tmdso)、1,3-双(异丙氨基)四甲基二硅氧烷(bipa-tmdso)或其任何组合中的至少一者。
10.根据权利要求1所述的方法，其中所述硅前体材料包含六氯二硅氧烷、六甲基二硅氧烷或其任何组合中的...
【专利技术属性】
技术研发人员：金伦楷，赵诚实，金焕洙，朴基振，
申请(专利权)人：恩特格里斯公司，
类型：发明
国别省市：
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