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本发明具体为一种改善翘曲的沟槽型集成电路芯片及其制备方法，包括位于芯片的中心区的元胞区，所述元胞区包括半导体基板，所述半导体基板包括第一导电类型外延层及位于第一导电类型外延层的下表面的第一导电类型衬底，在第一导电类型外延层内设置有若干均匀排...
该专利属于无锡祥瑞微电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡祥瑞微电子科技有限公司授权不得商用。

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