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本发明提出了一种具有空穴隧穿层的半导体发光元件，包括从下至上依次设置的衬底、n型半导体层、量子阱层和p型半导体层，所述量子阱层与p型半导体层之间设置有空穴隧穿层，所述空穴隧穿层具有禁带宽度分布、介电常数分布和折射率系数分布特性。本发明在具有...
该专利属于安徽格恩半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽格恩半导体有限公司授权不得商用。

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