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本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及制备方法，制备方法包括：提供基底，基底包括多个芯片区以及位于相邻的芯片区之间的切割道区，切割道区具有第一待测区，芯片区的基底上具有第一金属层，第一待测区的基底上具有第二金属层；形成介质膜，介质...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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