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本发明实施例提供了一种半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件，所述外延结构包括衬底；缓冲层，位于所述衬底一侧，所述缓冲层包括铁原子；阻挡结构，位于所述缓冲层远离所述衬底的一侧，且所述阻挡结构包括至少一层氮化硅阻挡层；沟道结构，包括至少...
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