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本技术的实施例提供一种封装件，其包括在晶片之上并接合到所述晶片的第一管芯、延伸穿过晶片的一部分的衬底通孔及在晶片的背侧上的重布线结构。第一管芯的第一介电层直接接合到晶片的第二介电层，其中第一管芯包括底部部分及侧向地延伸超过第一管芯的底部部分...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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