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本发明公开了一种半导体的微纳图案化制备方法及光电成像设备，可实现在各种衬底上图案化生长，其生长仅依赖衬底表面的种子层，制备方法简单方便快速，同时可以避免刻蚀过程引入的表面污染影响生长的纳米材料的质量。本发明包括如下步骤：在清洗好的SiO&l...
该专利属于北京理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京理工大学授权不得商用。

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