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半导体封装件制造技术
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文档序号:41141720
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公开了一种包括下部结构和上部结构的半导体封装件。下部结构包括第一半导体衬底、垂直地穿过第一半导体衬底的第一贯通通路、连接到第一贯通通路的第一信号焊盘、在第一信号焊盘之间并且与第一贯通通路电隔离的第一虚设焊盘以及围绕第一信号焊盘和第一虚设焊盘...
该专利属于三星电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三星电子株式会社授权不得商用。
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