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一种半导体器件的制备方法，包括：提供基底，基底具有第一类型阱区及第二类型阱区；执行第一次离子掺杂，于第一类型阱区内形成第二类型源漏区，于第二类型阱区内形成掺杂区；形成第一掩膜层，第一掩膜层覆盖第二类型源漏区，且显露掺杂区；至少去除部分掺杂区...
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