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形成抗蚀图案的方法、制造半导体装置的方法、基板处理装置和存储介质制造方法及图纸
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下载形成抗蚀图案的方法、制造半导体装置的方法、基板处理装置和存储介质的技术资料
文档序号:41141355
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本发明公开了一种形成抗蚀图案的方法,其依次包括:对含有抗蚀材料的抗蚀膜的一部分照射第一射线的步骤;对抗蚀膜进行烘烤的步骤;对抗蚀膜中包括照射了第一射线的部分以及此外的部分的全部区域整体照射第二射线的步骤;和通过显影将抗蚀膜的一部分除去来形成...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。
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