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本发明提供一种具有复合p型GaN结构的氮化镓基激光器及其制备方法，氮化镓基激光器包括：衬底；衬底的一侧依次层叠形成有缓冲层、第一限制层、第一波导层、有源层、第二波导层、电子阻挡层、第二限制层、复合p型GaN层和欧姆接触层；P型电极形成于欧姆...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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