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本申请提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底、多个电容器，以及一第一支撑层。该多个电容器设置于该基底上。每个电容器都沿着一第一方向延伸。该多个电容器中的每一个包括一第一电容器电极、一第二电容器电极，以及将该第一电容器电极与该...
该专利属于南亚科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南亚科技股份有限公司授权不得商用。

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