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本申请公开了一种超结型VDMOS及其制造方法，其中，该方法包括：形成位于衬底上的第一外延层；形成在第一外延层内部的第一沟槽；形成位于第一沟槽内第一导电柱；形成位于第一外延层、第一导电柱上方的第二外延层；形成从第二外延层的上表面延伸至第一沟槽...
该专利属于杭州富芯半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州富芯半导体有限公司授权不得商用。

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