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此处所述的一些实施方式包括半导体装置，其包括：多个通道层，位于一半导体基板上，其中所述通道层的配置方向垂直于该半导体基板；一栅极结构，包覆每一所述通道层；以及一源极/漏极区，与所述通道层与该栅极结构相邻且包括：一第一晶种层，包括一第一晶种材...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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