温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明属于光刻材料技术领域，具体涉及一种含硅表面改性剂和抗刻蚀剂下层膜组合物及其制备方法与应用。所述含硅表面改性剂的制备方法包括将Sn单体以及任选的硅氧烷单体Sm1在催化剂的作用下进行聚合反应得到含硅表面改性剂。本发明的关键在于采用具有特定...该专利属于福建泓光半导体材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建泓光半导体材料有限公司授权不得商用。
温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明属于光刻材料技术领域，具体涉及一种含硅表面改性剂和抗刻蚀剂下层膜组合物及其制备方法与应用。所述含硅表面改性剂的制备方法包括将Sn单体以及任选的硅氧烷单体Sm1在催化剂的作用下进行聚合反应得到含硅表面改性剂。本发明的关键在于采用具有特定...