一种含硅表面改性剂和抗刻蚀剂下层膜组合物及其制备方法与应用技术

本发明专利技术属于光刻材料技术领域，具体涉及一种含硅表面改性剂和抗刻蚀剂下层膜组合物及其制备方法与应用。所述含硅表面改性剂的制备方法包括将Sn单体以及任选的硅氧烷单体Sm1在催化剂的作用下进行聚合反应得到含硅表面改性剂。本发明专利技术的关键在于采用具有特定结构的含硅表面改性剂并以适当的比例添加到抗蚀剂下层膜组合物中，由此所得的抗蚀剂下层膜在曝光前后的接触角与抗蚀剂上层膜的接触角相接近，使得曝光前光致抗蚀剂的匀胶效果良好，同时提高曝光后抗刻蚀剂下层膜与光致抗蚀剂图案间的密合性，防止精细图案的崩塌，获得形貌良好的光刻图形。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光刻材料，具体涉及一种含硅表面改性剂及其制备方法与其在抗蚀剂下层膜组合物和光刻图案形成中的应用。

技术介绍

1、随着集成电路的高度集成化与高速化的发展，推动图案尺寸的精细化加速发展，这些精细化技术通常涉及缩短曝光光波的波长，例如krf准分子激光器(248nm)、arf准分子激光器(193nm)，甚至是更短波长的f2准分子激光(157nm)、极紫外激光(euv)、电子束和x射线等。然而为了实现超精细尺寸图案的光刻技术，需要使用具有高分辨率的光刻材料。

2、目前图案形成方法主要是采用多层抗蚀剂法，常用的是三层抗蚀剂法，例如于被加工基板上形成有机膜，于有机膜上形成抗蚀剂下层膜，再于抗蚀剂下层膜上形成光致抗蚀剂膜作为抗蚀剂上层膜。在现有技术研究中，利用传统正性化学增幅光致抗蚀剂材料的负性显影技术可以提高分辨率，但在图案形成过程中由于抗蚀剂下层膜与抗蚀剂上层膜之间的粘结效果差，导致光致抗蚀剂匀胶不均匀以及曝光后负性崩塌问题。因此，需要寻找一种新型的表面改性剂，使得以此为原料所形成的抗蚀剂下层膜表面在曝光前和曝光后都与抗蚀剂上层膜紧密贴合，提本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种含硅表面改性剂的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括将具有式(1)所示结构的Sn单体以及任选的硅氧烷单体Sm1在催化剂的作用下进行聚合反应得到；

2.根据权利要求1所述的含硅表面改性剂的制备方法，其特征在于，所述单体Sn和硅氧烷单体Sm1的摩尔比为1:(4～6)；

3.根据权利要求1所述的含硅表面改性剂的制备方法，其特征在于，所述硅氧烷单体Sm1的官能度为2～4；

4.根据权利要求1所述的含硅表面改性剂的制备方法，其特征在于，所述单体Sn采用将具有式(2)所示结构的化合物D与具有(3)和/或(4)所示结构的化合物M进行缩合反应制备得到；...

【技术特征摘要】

1.一种含硅表面改性剂的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括将具有式(1)所示结构的sn单体以及任选的硅氧烷单体sm1在催化剂的作用下进行聚合反应得到；

2.根据权利要求1所述的含硅表面改性剂的制备方法，其特征在于，所述单体sn和硅氧烷单体sm1的摩尔比为1:(4～6)；

3.根据权利要求1所述的含硅表面改性剂的制备方法，其特征在于，所述硅氧烷单体sm1的官能度为2～4；

4.根据权利要求1所述的含硅表面改性剂的制备方法，其特征在于，所述单体sn采用将具有式(2)所示结构的化合物d与具有(3)和/或(4)所示结构的化合物m进行缩合反应制备得到；

5.由权利要求1～4中任意一项所述的方法制备得到的含硅表面改性剂。

6.根据权利要求5所述的含硅表面改性剂，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：毛鸿超，李禾禾，王静，肖楠，宋里千，
申请(专利权)人：福建泓光半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：