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提供一种半导体元件包含具有第一端盖部位的第一栅极结构、具有与第一栅极结构同轴的第二端盖部位的第二栅极结构、分离第一端盖部位和第二端盖部位的第一介电区域、延伸越过第一栅极结构的第一导体元件、延伸越过第二栅极结构的第二导体元件以及电性连接第二栅...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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