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一种半导体装置，包括沿第一横向延伸的第一通道区且包括第一外延结构；沿第二横向延伸的介电结构且设置在该第一外延结构旁；介于介电结构的第一侧壁以及第一外延结构之间的多个第一半导体区段；以及介于介电结构的第一侧壁以及第一外延结构之间的多个第一介电...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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