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一种半导体结构及其形成方法，方法包括：在衬底表面形成初始沟道结构，包括若干层重叠的初始沟道层以及位于相邻两层初始沟道层之间的牺牲层；形成横跨初始沟道结构的伪栅极结构；在伪栅极结构两侧的初始沟道结构内形成源漏开口，初始沟道层形成沟道层，源漏开...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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