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描述了半导体设备和其制造方法。该方法包括以下步骤：在基板上形成底部介电隔离(BDI)层，并且在源极/漏极沟槽中沉积模板材料。对该模板材料进行蚀刻，然后使其结晶。然后进行源极和漏极区域的外延生长，生长有利地发生在源极和漏极区域的底部和侧壁上。...
该专利属于应用材料公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料公司授权不得商用。

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