温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本揭露提供一种半导体元件的制造方法。所述方法包含：在金属层上形成半导体层堆叠，其中半导体层堆叠包含第一氮化物层、第一氧化物层、第二氮化物层、第二氧化物层和第三氮化物层。在半导体层堆叠上形成遮罩层，其中遮罩层包含多个镂空部；在镂空部的内壁上沉...
该专利属于南亚科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南亚科技股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。