温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明的基片处理装置包括：处理容器，其在内部包含能够被减压至比大气压低的压力的处理室；在上述处理室中保持基片的保持部；和喷嘴，其为了对由上述保持部保持的上述基片的第1主面照射气体团簇而喷射气体。上述处理容器具有：相对壁，其包括与上述基片的上...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。