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本发明提供一种基片处理装置和基片处理方法。该方法包括：对基片供给挥发性比处理液高的第一干燥液形成液膜后，一边使基片旋转，一边以从基片的旋转中心(O)至第一干燥液的供给位置(P1)的距离(R1)逐渐增大的方式使第一干燥液的供给位置移动，从而一...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。

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