【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及对半导体晶片等的基片使用处理液进行处理后使其干燥的技术。
技术介绍
1、在半导体装置的制造工序中，包括从喷嘴对半导体晶片等的基片的表面供给药液来对基片实施湿蚀刻、药液清洗等的液处理的步骤。在供给药液后，对基片供给清洗液例如diw(纯水)，之后使基片干燥。
2、在专利文献1中记载有：对由diw润湿的基片的表面的中心部供给作为高挥发性且低表面张力的液体的ipa，之后，使ipa的供给位置从基片的中心部向周缘部移动，由此，一边使干燥界面(是指ipa干燥并消失的干燥区域与存在ipa的液膜的非干燥区域的界面)逐渐向基片的周缘部扩展，一边使基片的表面干燥。通过这样的方法进行干燥，能够防止发生干燥步骤中的颗粒的产生、图案的崩塌等的不良问题。另外，在专利文献1中还记载有：在供给ipa的同时向基片表面的干燥区域供给氮气。以氮气吹向比干燥界面稍微靠半径方向内侧的位置的方式，使氮气的供给位置从基片的中心部向周缘部移动。通过这样地供给氮气，能够促进干燥并使干燥均匀化。
3、但是，在近年来的高集成化和高纵横比化不断发展的半导体...
【技术保护点】
1.一种基片处理方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：
3.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：
4.如权利要求1至3中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：
5.如权利要求1至3中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：
6.如权利要求5所述的基片处理方法，其特征在于：
7.如权利要求1至3中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：
8.如权利要求1至3中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：
9.如权利要求1至3中任一项所述的基片...
【技术特征摘要】
1.一种基片处理方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：
3.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：
4.如权利要求1至3中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：
5.如权利要求1至3中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：
6.如权利要求5所述的基片处理方法，其特征在于：
7.如权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：丸本洋，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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