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本发明涉及一种高纯度Ti<subgt;3</subgt;SiC<subgt;2</subgt;块体陶瓷及其制备方法，针对当前采用反应熔体渗透工艺(RMI)制备的RMI Ti<subgt;3</subgt;...
该专利属于西北工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过西北工业大学授权不得商用。

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