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本公开涉及半导体领域，特别涉及一种反熔丝电路、结构、阵列、编程方法及存储器，反熔丝电路包括：反熔丝、选择晶体管和钳位电容器，反熔丝的第一端被配置为接收编程信号；选择晶体管的栅极被配置为接收选择信号，选择晶体管的第一极被配置为接收位线电压；钳...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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