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本发明是有关于一种记忆胞、记忆体装置及记忆胞的制造方法。该记忆胞，包括基底、堆叠栅极结构及第一隔离结构。基底具有第一掺杂区、第二掺杂区与通道区，通道区位于第一掺杂区与第二掺杂区之间。堆叠栅极结构设置于通道区上，堆叠栅极结构由下而上至少包括电...
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