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本申请提供一种半导体结构，半导体结构包括：衬底和位于衬底内的第一泄放结构，第一泄放结构连接输入输出端，第一泄放结构还连接第一电源端，第一泄放结构用于在输入输出端有静电电荷时形成输入输出端和第一电源端之间的第一泄放路径，使静电电荷经过第一泄放...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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