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本公开涉及用于纳米片保护的电介质层及其形成方法。一个器件包括栅极堆叠和堆叠结构，栅极堆叠具有顶部，堆叠结构位于栅极堆叠的顶部的下方。堆叠结构包括多个半导体纳米结构，多个半导体纳米结构中的上部纳米结构与相应的下部纳米结构重叠。堆叠结构还包括多...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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