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本发明属于功率半导体器件领域，具体涉及一种具有高性能的槽栅SiC MOSFET器件，包括：在漏极欧姆接触电极上依次设置半导体衬底、缓冲层、耐压层以及电流拓展层；在耐压层内设置两个槽，槽内填充有多晶硅栅，两个槽的底部分别设置有电场屏蔽区，两个...
该专利属于电子科技大学重庆微电子产业技术研究院所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学重庆微电子产业技术研究院授权不得商用。

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