温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种适用于氮化物ＬＥＤ外延生长的纳米级图形衬底的制备方法，包括：步骤１：准备并清洗衬底；步骤２：对该衬底进行前烘，然后涂敷光刻胶；步骤３：用氧等离子体刻蚀该光刻胶，在该衬底上形成一层纳米尺寸胶点；步骤４：以形成的该纳米尺寸胶点为...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。