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本发明公开了一种低电容TVS用硅外延材料的制备方法，包括如下步骤：预备重掺砷衬底，对石墨基座预包SiN，在1130‑1180℃通入氢气和HCl气体的混合气，基座上预包裹的SiN向硅衬底背面固相转移。在外延生长阶段，先外延生长P型重掺硼缓冲层...
该专利属于上海领矽半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海领矽半导体有限公司授权不得商用。

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