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本发明属于微电子材料领域，涉及一种结晶温度可调的ＳｉＯ２／Ｓｂ８０Ｔｅ２０纳米复合多层相变薄膜材料及其制备方法。所述薄膜材料中单层ＳｉＯ２薄膜和单层Ｓｂ８０Ｔｅ２０薄膜交替排列成多层薄膜结构，所述单层ＳｉＯ２薄膜的厚度为５～１５ｎｍ，单层Ｓ...
该专利属于同济大学所有，仅供学习研究参考，未经过同济大学授权不得商用。

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