【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于微电子材料领域，具体涉及一种用于相变存储器的结晶温度可调的 Si02/Sb80Te20纳米复合多层相变薄膜材料及其制备方法。
技术介绍
相变存储器(PCM)是当今全球半导体产业中炙手可热的研究领域之一，作为新一 代非易失性存储器技术，它可以提供高的编程和读取速度，支持多的重写周期，具有低的生 产成本，也非常兼容于COMS工艺，这一产品有望取代目前普遍使用的闪存。相变存储器是 利用电流产生的焦耳热量可逆改变薄膜电阻进行编程，薄膜在高阻值时为非晶态，在低阻 值是为晶态，高低电阻值分别对应着逻辑数据的“ 1，，和“0”。在相变存储器研发中，相变材料的性能对于器件的整体性能起着决定性的作 用。Sb-Te合金材料已广泛应用在相变存储器和相变光盘中(R.E. Simpsom等人，Applied Physics Letters，92，141921,2008)，这种相变材料被证明非常适合于高速存储。由于生长 占主导的结晶过程，Sb-Te比传统的Ge2Sb2Te5相变材料的结晶速度快。随着存储单元和接 触面积的减小，Sb-Te的结晶速度将会变得更快；同时结晶速度随着...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
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