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本申请公开了一种干法刻蚀聚酰亚胺层的方法、再布线层的制备方法及再布线层，涉及半导体技术领域。一种干法刻蚀聚酰亚胺层的方法，包括：涂覆光敏材料，并形成第一预定图层；进行第一刻蚀，使所述第一预定图层转移至所述聚酰亚胺层，去除所述光敏材料；涂覆光...
该专利属于北京北方华创微电子装备有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京北方华创微电子装备有限公司授权不得商用。

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