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本发明提供一种能够高集成化的半导体存储装置。本发明的半导体存储装置具备：多个感测放大器区域；第1配线层，包含与多个半导体层电连接的多个位线；以及第2配线层，包含将多个感测放大器区域与多个位线分别电连接的多个第1配线。半导体衬底具备沿第2方向...
该专利属于铠侠股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过铠侠股份有限公司授权不得商用。

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