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电阻式存储器器件包括设置在底部电极和到达存储器器件的底部电接触件之间的超薄阻挡层。超薄阻挡层可以将电阻式存储器元件的总台阶高度降低15％或更多，包括高达约20％或更多。超薄阻挡层的使用可另外将部分位于存储器元件下方并在存储器元件之间延伸的介...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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