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本发明涉及CMOS器件及其制备技术领域，具体提供一种降低漏电的CMOS器件及其制备方法，所述CMOS器件包括半导体衬底，所述半导体衬底上直接设置有缓冲层，所述缓冲层上直接设置有介质层，所述缓冲层是以原子层沉积方法制备得到的铟铌氧化物薄膜，并...
该专利属于中国科学院长春光学精密机械与物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院长春光学精密机械与物理研究所授权不得商用。

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