一种降低漏电的CMOS器件及其制备方法技术

本发明专利技术涉及CMOS器件及其制备技术领域，具体提供一种降低漏电的CMOS器件及其制备方法，所述CMOS器件包括半导体衬底，所述半导体衬底上直接设置有缓冲层，所述缓冲层上直接设置有介质层，所述缓冲层是以原子层沉积方法制备得到的铟铌氧化物薄膜，并通过纳米多硫化钙的低温固溶掺杂进一步提高电性均匀度，所述介质层为高k介质层；本发明专利技术通过在介质层与半导体衬底之间引入缓冲层，阻碍击穿相的形成发展，提升击穿场强，降低漏电流。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及cmos器件及其制备，具体涉及一种降低漏电的cmos器件及其制备方法。

技术介绍

1、图像传感器是构成数字摄像头的重要组成部分，是一种将光学图像转换成信号的设备，它被广泛地应用在数码相机、移动终端、便携式电子装置和其他电子光学设备中。图像传感器可分为ccd(charge coupled device，电荷耦合元件)和cmos(complementarymetal semiconductor，互补型金属氧化物半导体元件)图像传感器两大类。由于cmos图像传感器是采用传统的cmos电路工艺制作，因此可将图像传感器以及其所需要的外围电路加以整合，从而使得cmos图像传感器具有更广的应用前景。

2、cmos图像传感器中一直存在着亮点(white pixel)的问题，现有技术中主要通过高介电常数介质层来改善这一问题。氧化铪(hfo2)是一种简单的二元金属氧化物,具有宽带隙、高介电常数、高折射率、高透射、高抗激光损伤和高熔点等特点，在光电器件领域有着广阔的应用前景，已被工业界视为标准的栅极介电材料并广泛用于先进的金属-氧化物-半导体场效应晶体本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种降低漏电的CMOS器件的制备方法，其特征在于，所述CMOS器件包括半导体衬底，所述半导体衬底上直接设置有缓冲层，所述缓冲层上直接设置有介质层，所述制备方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种降低漏电的CMOS器件的制备方法，其特征在于，所述铟和铌的金属源前驱体中铟和铌的摩尔比例为1：1，所述铟的金属源前驱体为三乙基铟、二甲基乙基铟或二乙基甲基铟；所述铌的金属源前驱体为五乙氧基铌。

3.根据权利要求1所述的一种降低漏电的CMOS器件的制备方法，其特征在于，所述原子层沉积系统反应腔体的沉积温度为200-300℃，压力为0.5-5mbar。

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【技术特征摘要】

1.一种降低漏电的cmos器件的制备方法，其特征在于，所述cmos器件包括半导体衬底，所述半导体衬底上直接设置有缓冲层，所述缓冲层上直接设置有介质层，所述制备方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种降低漏电的cmos器件的制备方法，其特征在于，所述铟和铌的金属源前驱体中铟和铌的摩尔比例为1：1，所述铟的金属源前驱体为三乙基铟、二甲基乙基铟或二乙基甲基铟；所述铌的金属源前驱体为五乙氧基铌。

3.根据权利要求1所述的一种降低漏电的cmos器件的制备方法，其特征在于，所述原子层沉积系统反应腔体的沉积温度为200-300℃，压力为0.5-5mbar。

4.根据权利要求1所述的一种降低漏电的cmos器件的制备方法，其特征在于，所述金属源前驱体的脉冲时间为0.1-0.2s，所述去离子水的脉冲时间为0.1-0.2s，所述高纯氮气的净化时间为2-6s。

5.根据权利要求1所述的一种降低漏电的cmos器件的制备方法，其特征在于，所述介质层为铪和锆的氧化物薄膜。

6.根据权利要求5所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：余毅，李彦庆，叶武阳，
申请(专利权)人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，
类型：发明
国别省市：