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具有去耦电容器结构的半导体元件及其制备方法技术
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下载具有去耦电容器结构的半导体元件及其制备方法的技术资料
文档序号:40710730
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本申请提供一种半导体元件及其制备方法。半导体元件包括基底、去耦电容器结构以及电子元件。去耦电容器结构设置于基底上。电子元件设置于去耦电容器结构上,并电性地连接到去耦电容器结构。电子元件堆叠于去耦电容器结构上。去耦电容器结构包括第一导电层、介...
该专利属于南亚科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过南亚科技股份有限公司授权不得商用。
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