【技术实现步骤摘要】
本公开内容关于一种半导体元件及其制备方法，特别是关于一种包括内建去耦电容器的半导体元件。
技术介绍
1、电子产业的快速发展，实现集成电路(ic)的高性能及小型化。集成电路在材料及设计方面的技术进步又产生新一代的集成电路，其中新一代的电路都具有更小与更复杂的电路。
2、当前已经开发出许多技术以提高半导体元件的性能。例如，可以利用去耦电容器结构来过滤具有特定频率的信号。然而，此种去耦电容器结构可能会占用额外的区域，因此增加半导体元件的尺寸。因此，需要对半导体元件做改进以及方法以解决此类问题。
3、上文的“先前技术”说明仅是提供
技术介绍
，并未承认上文的“先前技术”说明揭示本公开的标的，不构成本公开的先前技术，且上文的“先前技术”的任何说明均不应作为本案的任一部分。
技术实现思路
1、本公开的一个方面提供一种半导体元件。该半导体元件包括一基底、一去耦电容器结构以及一电子元件。该去耦电容器结构设置于该基底上。该电子元件设置于该去耦电容器结构上，并电性地连接到该去耦电容器结构。该电子元件堆叠于该去耦电容器结构上。该去耦电容器结构包括一第一导电层、一介电膜以及一第二导电层。第一导电层设置于该基底上。介电膜设置于该第一导电层上。第二导电层设置于该介电膜上。该第一导电层电性地连接到地，以及该第二导电层的一表面面积小于该第一导电层的一表面面积。
2、本公开的另一个方面提供另一种半导体元件。该半导体元件包括一基底、一第一导电层、一介电膜、一第二导电层以及一电子元件。该
3、本公开的另一个方面提供一种半导体元件的制备方法。该制备方法包括：提供一基底；在该基底上形成一去耦电容器结构；在该去耦电容器结构上形成一电子元件；形成一第三导电线电性连接该电子元件与一第一导电层；以及形成一封装材料封装该电子元件。该电子元件堆叠于该去耦电容器结构上。
4、在本公开的实施例中，半导体元件可包括去耦电容器结构，该结构可经配置以过滤发送到电子元件或从电子元件发送的信号。电子元件可堆叠在去耦电容器结构的至少一部分上。基底上的导电图案可作为去耦电容器结构的终端。此种的结构可以不需要额外的面积，以致与比较例相比，半导体元件的尺寸相对较小。
5、上文已相当广泛地概述本公开的技术特征及优点，使下文的本公开详细描述得以获得较佳了解。构成本公开的权利要求标的的其它技术特征及优点将描述于下文。本公开所属
中具有通常知识者应了解，可相当容易地利用下文揭示的概念与特定实施例可作为修改或设计其它结构或过程而实现与本公开相同的目的。本公开所属
中具有通常知识者亦应了解，这类等效建构无法脱离后附的权利要求所界定的本公开的精神和范围。
【技术保护点】
1.一种半导体元件，包括：
2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该基底与该去耦电容器结构直接接触。
3.如权利要求1所述的半导体元件，更包括：
4.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一导电层的一部分从该第二导电层曝露。
5.如权利要求3所述的半导体元件，更包括：
6.如权利要求3所述的半导体元件，更包括：
7.如权利要求1所述的半导体元件，更包括：
8.如权利要求7所述的半导体元件，其中该封装材料的一部分设置于该电子元件与该去耦电容器结构的该介电膜之间。
9.如权利要求7所述的半导体元件，其中该封装材料的一部分设置于该电子元件与该去耦电容器结构的该第二导电层之间。
10.一种半导体元件，包括：
11.如权利要求10所述的半导体元件，其中该第一导电层、该介电膜及该第二导电层经配置以定义一去耦电容器结构。
12.如权利要求10所述的半导体元件，更包括：
13.如权利要求10所述的半导体元件，更包括：
14.如权利要求10所述
15.如权利要求10所述的半导体元件，其中该第一导电层电性地连接到地。
16.如权利要求11所述的半导体元件，更包括：
17.一种半导体元件的制备方法，包括：
18.如权利要求17所述的半导体元件的制备方法，其中在该基底上形成该去耦电容器结构包括：
19.如权利要求18所述的半导体元件的制备方法，其中在该基底上形成该去耦电容器结构还包括：
20.如权利要求19所述的半导体元件的制备方法，还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体元件，包括：
2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该基底与该去耦电容器结构直接接触。
3.如权利要求1所述的半导体元件，更包括：
4.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一导电层的一部分从该第二导电层曝露。
5.如权利要求3所述的半导体元件，更包括：
6.如权利要求3所述的半导体元件，更包括：
7.如权利要求1所述的半导体元件，更包括：
8.如权利要求7所述的半导体元件，其中该封装材料的一部分设置于该电子元件与该去耦电容器结构的该介电膜之间。
9.如权利要求7所述的半导体元件，其中该封装材料的一部分设置于该电子元件与该去耦电容器结构的该第二导电层之间。
10.一种半导体元件，包括：
11.如权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨吴德，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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