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本公开涉及一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括沿垂直衬底的第一方向依次层叠的衬底、第一外延层及第二外延层；第一外延层内包括沿平行衬底的第二方向交替排布且导电类型不同的第一半导体柱及第二半导体柱；第一半导体柱的目标尺寸小于第二半导体柱的...
该专利属于苏州华太电子技术股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州华太电子技术股份有限公司授权不得商用。

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