温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请提供了一种刻蚀方法及半导体工艺设备，用于刻蚀半导体结构，半导体结构包括芯轴层和含氧硅层，芯轴层包括多个间隔设置的芯轴，含氧硅层填充任意相邻两个芯轴的间隙并覆盖芯轴层的顶面，含氧硅层的顶面形成有目标图形，芯轴层的材料为含氮硅材料；该刻蚀...
该专利属于北京北方华创微电子装备有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京北方华创微电子装备有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。