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本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种防漏电抗辐射CMOS器件及其制备方法，制备方法包括如下步骤：（1）制备改性密胺树脂溶液：称取改性微球加入至预聚密胺树脂溶液内，同时加入聚乙二醇（PEG‑400），升温至85‑95℃，保温搅拌1‑2h...
该专利属于中国科学院长春光学精密机械与物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院长春光学精密机械与物理研究所授权不得商用。

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