一种防漏电抗辐射CMOS器件及其制备方法技术

本发明专利技术涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种防漏电抗辐射CMOS器件及其制备方法，制备方法包括如下步骤：（1）制备改性密胺树脂溶液：称取改性微球加入至预聚密胺树脂溶液内，同时加入聚乙二醇（PEG‑400），升温至85‑95℃，保温搅拌1‑2h之后，得到改性密胺树脂溶液；（2）制备防漏电抗辐射涂层：将改性密胺树脂溶液涂覆在CMOS器件的表面，干燥后，即得到防漏电抗辐射CMOS器件。本发明专利技术通过在CMOS器件的表面涂覆一层保护涂层，使CMOS器件的防漏电性和抗辐射性能得到较大的提升，同时该涂层还具有较高的强度、耐磨性、耐盐雾腐蚀以及耐高温性，能够从多个方面共同保护CMOS器件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件领域，具体涉及一种防漏电抗辐射cmos器件及其制备方法。

技术介绍

1、随着集成电路技术节点的降低，对新器件的性能要求不断提高，半导体可靠性问题成为限制产品寿命的主要因素。cmos器件的前端可靠性研究主要包括：热载流子注入效应（hci），负栅压温度不稳定性（nbti），栅氧化层经时击穿（tddb）等。在这些应力条件下，si/sio2界面附近及栅氧化层中将形成界面态及氧化层缺陷。随着时间推移，界面态和氧化层缺陷的数量、分布、种类发生变化，引起器件主要参数的漂移，严重损伤器件性能。同时，随着半导体技术的发展，cmos器件尺寸不断缩小，随着每一代工艺的发展，晶体管延迟时间下降约30%，促使微处理器的性能每两年提高一倍。为限制功耗，电源电压要下降，这样阈值电压必须相应地降低，以保持高驱动电流，获得高性能；然而阈值电压的降低会引起亚阈值漏电流的显着增加，导致cmos器件关态性能变差，静态功耗增加。同时，由于cmos器件工艺技术的发展，晶体管特征尺寸越来越小,辐射环境中的粒子入射的影响越来越严重，导致cmos器件越来越容易发生单粒子的翻转现象，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种防漏电抗辐射CMOS器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种防漏电抗辐射CMOS器件的制备方法，其特征在于，步骤（1）中，预聚密胺树脂溶液的制备过程包括：

3.根据权利要求1所述的一种防漏电抗辐射CMOS器件的制备方法，其特征在于，步骤（1）中，改性微球、聚乙二醇和密胺树脂溶液的质量比为1:0.1-0.3:5.8-11.6。

4.根据权利要求1所述的一种防漏电抗辐射CMOS器件的制备方法，其特征在于，步骤（2）中，干燥的处理温度为120-130℃，时间为2-4h。

5.根据权利要求1所述的一种防漏电抗...

【技术特征摘要】

1.一种防漏电抗辐射cmos器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种防漏电抗辐射cmos器件的制备方法，其特征在于，步骤（1）中，预聚密胺树脂溶液的制备过程包括：

3.根据权利要求1所述的一种防漏电抗辐射cmos器件的制备方法，其特征在于，步骤（1）中，改性微球、聚乙二醇和密胺树脂溶液的质量比为1:0.1-0.3:5.8-11.6。

4.根据权利要求1所述的一种防漏电抗辐射cmos器件的制备方法，其特征在于，步骤（2）中，干燥的处理温度为120-130℃，时间为2-4h。

5.根据权利要求1所述的一种防漏电抗辐射cmos器件的制备方法，其特征在于，步骤（...

【专利技术属性】
技术研发人员：李彦庆，郭同健，何锋赟，孙守红，
申请(专利权)人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，
类型：发明
国别省市：