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披露了一种晶体管(1)，该晶体管包括源极(10)、本体(12)和漏极(14)，晶体管(1)进一步包括多个半导体层(20)，其中，多个半导体层(20)中的层由AlGaN或GaN制成，并且其中，多个半导体层(20)被配置成使得铝含量在每个相继层...
该专利属于艾普诺瓦泰克公司所有，仅供学习研究参考，未经过艾普诺瓦泰克公司授权不得商用。

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