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发明涉及一种用于芯片封装的制作方法及芯片，用于芯片封装的制作方法包括：在粘结并减薄完成的晶圆正面，沉积阻挡层，阻挡层为SIN、SIC和NDC材料中的一种或多种；在阻挡层上沉积氧化层；S30，通过刻蚀工艺形成硅通孔，硅通孔的深度为到达需要连接...
该专利属于物元半导体技术（青岛）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过物元半导体技术（青岛）有限公司授权不得商用。

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