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本公开实施例提供了一种半导体结构及其制备方法、半导体存储器，该半导体结构包括：衬底；形成于衬底上方的堆叠结构；其中，堆叠结构包括多个器件结构和多个字线结构，器件结构沿第一方向延伸，字线结构沿第二方向延伸；器件结构依次包括电容区和有源区；形成...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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