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本发明提供一种半导体结构及其制备方法。半导体结构的制备方法包括：提供衬底；在衬底表面形成沿第一方向的牺牲层、外延层、硬掩膜层，第一方向垂直于衬底表面；刻蚀形成第一沟槽，沿第二方向延伸、第三方向排布，第二、第三方向平行于衬底表面且互相垂直；在...
该专利属于上海积塔半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海积塔半导体有限公司授权不得商用。

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