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一种半导体结构，包括位于第一介电层中的第一下接触特征、位于第一介电层上的蚀刻停止层、形成于蚀刻停止层之上的金属绝缘体金属(MIM)电容器、形成于金属绝缘体金属电容器之上的第二介电层、延伸穿过第二介电层及金属绝缘体金属电容器并与第一下接触特征...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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